напряжение насыщения база-эмиттер — Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
На практике при насыщении транзистора между коллектором и эмиттером всегда остается небольшое напряжение, обычно обозначаемое VCE(sat).
Для того чтобы начать управление нужно на вывод базы транзистора подать ток. Его называют тока базы. А напряжение, приложенное к выводам ...
В насыщении ток через транзистор (колектор-эмиттер) идет и мало зависит от тока через переход база-эмиттер. При этом напряжение коллектор-эмиттер меньше ...
7. Напряжение насыщения коллектор эмиттер D. Kollektor Emitter Sättigungsspannung E. Saturation collector emitter voltage F. Tension de saturation ...
напряжение перехода коллектор-база равно разности напряжений коллектор- эмиттер и база-эмиттер, т.е. ВЕ. КЕ. КВ. U. U. U. -. = , поэтому насыщение ...
Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения UКЭО гр ... Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе ...
МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ
Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа ...
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером;; Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и ...